全球新消息丨突破国产光刻机的最后一个难关？

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今天我要跟大家分享一个重磅消息，那就是我国自主研发的光刻机已经突破了最后一个难关，即28纳米工艺水平。这意味着什么呢？意味着我们在芯片制造领域迈出了一大步，向世界展示了我们的实力和信心。

光刻机是芯片制造中最核心也最复杂的设备之一，它可以在硅片上刻出微小的电路图案，从而实现芯片的功能。光刻机的性能决定了芯片的性能和成本，也影响了整个半导体产业链的发展。目前全球光刻机市场被三家公司垄断，分别是荷兰ASML、日本尼康和佳能。其中ASML更是凭借其EUV极紫外光刻技术，在7纳米以下工艺领域独占鳌头。

我国虽然在半导体领域起步较晚，但并没有放弃自主创新和追赶世界先进水平的努力。早在90年代，长春光机所就开始预研EUV技术，并于2017年成功突破了极紫外光刻关键技术。而上海微电子作为我国唯一能够自主生产光刻机的公司，在之前90纳米工艺基础上，经过多年不懈攻关，在2021年8月宣布完成28纳米浸没式光刻机相关认证，并计划于2023年交付国产第一台SSA/800-10W光刻机设备。

这台28纳米浸没式光刻机虽然还不能与ASML等公司最先进的EUV光刻机相比拼，但已经达到了目前全球主流水平，并且具有成本低、效率高、可靠性强等优势。更重要的是，这台28纳米浸没式光刻机可以通过多重曝光技术实现7纳米甚至更低工艺节点芯片制造。这对于缓解我国目前面临的“缺芯”问题和提升我国半导体产业竞争力都具有重要意义。

当然我们也不能因为取得了这样一个里程碑式的成果而沾沾自喜或者停滞不前。我们还需要继续加大投入和支持，在人才、技术、资金等方面给予更多保障和激励，推动我国在EUV等更高端领域取得突破，并形成完整、高效、可持续发展的半导体产业生态。

总之，国产28纳米浸没式光刻机的诞生，是我国半导体产业的一次重大突破，也是我国自主创新能力的一次有力展示。我们要为此感到自豪和骄傲，也要为此保持谦虚和进取。让我们一起期待，国产光刻机能够在未来发挥更大的作用，为我国乃至世界的科技进步和社会发展做出更大的贡献。

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